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J-GLOBAL ID：200902105045576068   整理番号：03A0522043

高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の作製法の開発

Preparation of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films.

著者 (3件)： 本橋光也 (東京電機大 工) ,  本間和明 (東京電機大 工) ,  曽江久美 (東京電機大 工)
資料名： 東京電機大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute for Science and Technology, Tokyo Denki University)
号： 21  ページ： 81-86  発行年： 2002年07月23日 
JST資料番号： L0877A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記の薄膜(a-SiC:H)の作製のため,二種類の原料ガスの...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 高品質 ,  シリコン ,  アモルファス ,  半導体薄膜 ,  作製法 ,  開発