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J-GLOBAL ID:200902105045576068   整理番号:03A0522043

高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の作製法の開発

Preparation of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films.
著者 (3件):
資料名:
号: 21  ページ: 81-86  発行年: 2002年07月23日 
JST資料番号: L0877A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体薄膜 
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