研究者
J-GLOBAL ID:200901075392926958
更新日: 2022年08月27日
本間 和明
ホンマ カズアキ | Homma Kazuaki
所属機関・部署:
旧所属 東京電機大学 工学部 電気電子工学科
旧所属 東京電機大学 工学部 電気電子工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (4件):
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (8件):
高温超伝導体薄膜
, ナノポーラスSi
, 金属シリサイド
, アモルファスSi薄膜
, High Tc Superconducting Films
, Nano Porous Si
, Metal Silicide
, Amorphous Si Films
競争的資金等の研究課題 (8件):
高温超伝導薄膜の成長プロセスと物性
ナノポーラスSi層の作製と微細構造
金属/a-Si :H積層膜における界面反応と金属シリサイドの形成機構
シリコン系アモルファス半導体薄膜の構造的研究
Growth Process and Properties of High Temperature Super-conducting Films.
Preparation and Fine Structures of Nano Porous Si Layer
Interfacial Reaction and Metal Silicide Formation in Metal/a-Si : H Layered Films
Structural Studies of Si Based Amorphous Semiconductor Films.
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MISC (66件):
真空遮断機バルブにおける金属粒子の拡散現象とその電極形状による影響. 電気設備学会誌. 2004. 24, 11, 876-882
高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の成長プロセスに関する研究. 東京電機大学総合研究所年報. 2004. (23), 61-68
高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の作製法の開発. 東京電機大学総合研究所年報. 2002. (21), 81-86
Preparation of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films. Annual Report, Research Institute for Science and Technology, Tokyo Denki University. 2002. (21), 81-86
原料ガス分離分解型プラズマCVD法により作製したa-SiCiH膜の光学的特性. 電子情報通信学会論文誌. 2001. J84-C(6), 508-515
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特許 (4件):
高光導電率アモルファスシリコン薄膜の製造方法
感温半導体素子
Preparation Method of Highly Photoconductive Amorphous Silicon Film
Semiconductor Temperature Sensor
学歴 (4件):
- 1966 東京電機大学 工学研究科 電気工学
- 1966 東京電機大学
- 1960 東京電機大学 工学部 電気工学
- 1960 東京電機大学
学位 (2件):
工学博士 (東京電機大学)
工学修士 (東京電機大学)
経歴 (2件):
1980 - 東京電機大学工学部教授、現在に至る
1980 - Since 1980, Professor, School of Engineering, Tokyo Denki University
受賞 (1件):
1994 - (社)プリント回路学会論文賞
所属学会 (4件):
エネルギ-資源学会
, 応用物理学会
, 電子情報通信学会
, 電気学会
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