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J-GLOBAL ID：200902105161809363   整理番号：99A0888360

nm厚GaAs-酸化膜層を持つMISダイオードの予備研究

A preliminary study of MIS diodes with nm-thin GaAs-oxide layers.

著者 (8件)： SUGIMURA T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  TSUZUKU T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  KATSUI T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  KASAI Y (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  INOKUMA T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  HASHIMOTO S (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  IIYAMA K (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  TAKAMIYA S (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 43  号： 8  ページ： 1571-1576  発行年： 1999年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nm厚のGaAs-酸化膜層を形成するために,UV/オゾン酸化...

シソーラス用語： *MIS構造 ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 厚 ,  GaAs ,  酸化膜 ,  MIS ,  ダイオード ,  研究