直接接着による(110)GaAs上の(001)InP基1.55μm波長レーザの作製 自由方位集積化の展望

OKUNO Y; AOKI M; TSUCHIYA T; UOMI K

文献

J-GLOBAL ID：200902105201433698 整理番号：95A0782524

直接接着による(110)GaAs上の(001)InP基1.55μm波長レーザの作製自由方位集積化の展望

Fabrication of (001) InP-based 1.55-μm wavelength lasers on a (110) GaAs substrate by direct bonding (A prospect for free-orientation integration).

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=95A0782524&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0782524&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 67 号： 6 ページ： 810-812 発行年： 1995年08月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(001)InPと(110)GaAsの直接接着を研究し,その...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0782524&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体レーザ , 固体デバイス製造技術一般

, , , , , , ,

前のページに戻る

直接接着による(110)GaAs上の(001)InP基1.55μm波長レーザの作製 自由方位集積化の展望

直接接着による(110)GaAs上の(001)InP基1.55μm波長レーザの作製自由方位集積化の展望