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J-GLOBAL ID：200902105227096339   整理番号：00A0437167

急速熱処理により再酸化した酸化ハフニウムゲート誘電体超薄膜の熱安定性

Thermal stability and electrical characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing.

著者 (5件)： LEE B H (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  KANG L (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  NIEH R (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  QI W-J (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LEE J C (Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 14  ページ： 1926-1928  発行年： 2000年04月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上にdcマグネトロンスパッタリングにより標...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： 等価酸化物厚み

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 急速熱処理 ,  再酸化 ,  酸化ハフニウム ,  ゲート誘電体 ,  超薄膜 ,  熱安定性