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J-GLOBAL ID：200902105247388824   整理番号：01A0207448

量子収量実験によるシリコン中の熱い正孔散乱率の検証

Verification of hot hole scattering rates in silicon by quantum-yield experiment.

著者 (4件)： KAMAKURA Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWASHIMA I (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  DEGUCHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TANIGUCHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 88  号： 10  ページ： 5802-5809  発行年： 2000年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siのフルバンドモンテカルロシミュレーションにおける高エネル...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： イオン化係数

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子収量 ,  実験 ,  シリコン ,  正孔 ,  散乱 ,  検証