SiC上に成長させた光ポンプGaNからの自然放出と誘導放出

ZUBRILOV A S; NIKOLAEV V I; TSVETKOV D V; DMITRIEV V A; IRVINE K G; EDMOND J A; CARTER C H JR

文献

J-GLOBAL ID：200902105267337339 整理番号：95A0750208

SiC上に成長させた光ポンプGaNからの自然放出と誘導放出

Spontaneous and stimulated emission from photopumped GaN grown on SiC.

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資料名：
巻： 67 号： 4 ページ： 533-535 発行年： 1995年07月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

6H-SiC基板上に成長させたGaN層の光ルミネセンスを温度...

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半導体のルミネセンス

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