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J-GLOBAL ID:200902105359751689   整理番号:00A0834351

比較的低温における6H-SiCのガス中エッチング

Gaseous etching of 6H-SiC at relatively low temperatures.
著者 (5件):
資料名:
巻: 217  号: 1/2  ページ: 115-124  発行年: 2000年07月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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1400~1500°Cの比較的低温範囲で,水素,水素原子,C<...
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準シソーラス用語:
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分類 (3件):
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試料技術  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  半導体の表面構造 
物質索引 (1件):
物質索引
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タイトルに関連する用語 (3件):
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