比較的低温における6H-SiCのガス中エッチング

文献

J-GLOBAL ID：200902105359751689 整理番号：00A0834351

Gaseous etching of 6H-SiC at relatively low temperatures.

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資料名：
巻： 217 号： 1/2 ページ： 115-124 発行年： 2000年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

1400~1500°Cの比較的低温範囲で,水素,水素原子,C<...

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試料技術 , 固体デバイス製造技術一般 , 半導体の表面構造

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