Fabrication of ZnSe Diodes with CdSe Quantum-Dot Layers by Molecular Beam Epitaxy.

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J-GLOBAL ID：200902105628017245 整理番号：02A0239557

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巻： 229 号： 2 ページ： 1039-1042 発行年： 2002年01月08日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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