ガス源分子ビームエピタクシーで作った波長0.98μmの高出力高効率InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP広幅導波路レーザ

GOKHALE M R; DRIES J C; STUDENKOV P V; FORREST S R; GARBUZOV D Z

文献

J-GLOBAL ID：200902106096253820 整理番号：98A0099768

ガス源分子ビームエピタクシーで作った波長0.98μmの高出力高効率InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP広幅導波路レーザ

High-Power High-Efficiency 0.98-μm Wavelength InGaAs-(In)GaAs(P)-InGaP Broadened Waveguide Lasers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy.

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資料名：
巻： 33 号： 12 ページ： 2266-2276 発行年： 1997年12月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高出力高効率を目指してAlを含まなくし,分離閉じ込めヘテロ構...

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半導体レーザ

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