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J-GLOBAL ID：200902106812481813   整理番号：02A0466850

高性能TFT対応低温poly-Si結晶化技術(SELAX法) I プロセス

著者 (8件)： 波多野睦子 (日立 中研) ,  山口伸也 (日立 中研) ,  PARK S K (日立 中研) ,  田井光春 (日立 中研) ,  本郷幹雄 (日立 生産技研) ,  野田剛史 (日立デバイスエンジニアリング) ,  芝健夫 (日立 中研) ,  大倉理 (日立)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 875  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  TFT ,  低温 ,  Si結晶 ,  プロセス