研究者
J-GLOBAL ID:200901075719841668
更新日: 2024年11月19日
波多野 睦子
ハタノ ムツコ | Hatano Mutsuko
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所属機関・部署:
東京科学大学 工学院
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職名:
教授
研究分野 (1件):
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (7件):
環境エレクトロニクス
, ナノエレクトロニクス
, ディスプレイ
, 応用物理
, 電子/光材料・プロセス・デバイス・回路
, 薄膜
, 電子物性
競争的資金等の研究課題 (4件):
1995 - 2009 薄膜材料・プロセス、トランジスタ、及びシステムインディスプレイ(有機EL、LCD)、大面積用材料・エレクトロニクスに関する研究
2008 - 環境エレクトロニクス
1997 - 2000 レーザアニールによるSi薄膜溶融,結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化
1983 - 1997 超伝伝導体、半導体、及びそれらの界面における量子効果現象の解明と新機能デバイス化に関する研究
MISC (7件):
Mutsuko Hatano, Toshikazu Nishino, Kazuo Saito, Kazumasa Takagi. Experiments on quasiparticle-waves interference using Si/Nb boundary. Journal of Applied Physics. 1994. 75. 10. 5205-5209
Mutsuko Hatano, Kazuo Saito, Toshikazu Nishino, Kazumasa Takagi. Characteristics of phase-controlled superconducting device based on Andreev reflection and superconducting proximity effect at Nb-Si boundary. Applied Physics Letters. 1992. 61. 21. 2604-2606
Mutsuko Hatano, Toshikazu Nishino, Haruhiro Hasegawa, Fumio Murai, Tokuo Kure, Hideaki Nakane. Study of superconducting proximity effect by measuring interference effect of Andreev-reflected quasiparticles. Journal of Applied Physics. 1991. 69. 11. 7720-7722
T. Nishino, M. Hatano, H. Hasegawa, F. Murai, T. Kure, A. Hiraiwa, K. Yagi, U. Kawabe. 0.1-μm Gate-Length Superconducting FET. IEEE Electron Device Letters. 1989. 10. 2. 61-63
M. Hatano, T. Nishino, H. Hasegawa, F. Murai, T. Kure, U. Kawabe. Fabrication and Characteristics of Si-coupled Superconducting FET with 0.1um gate. Journal of Vacuum Science and Technology, Vol.B7, No.6, p333, 1989
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書籍 (1件):
分担執筆4件 解説記事など15件
講演・口頭発表等 (1件):
リスト作成中
(査読付き国際会議論文 33件 招待講演(国際会議)9件 招待講演(国内)8件 国内学会や研究会など33件)
学歴 (1件):
- 1983 慶應義塾大学 工学部 電気工学科
学位 (1件):
ジョセフソン素子の三端子化に関する基礎的研究 (慶應義塾大学)
経歴 (3件):
1997/09 - 2000/08 カリフォルニア大学バークリー校(UCB)客員研究員(3年間)
1983 - から現在 (株)日立製作所中央研究所
(株)日立製作所 中央研究所 日立製作所中央研究所 主管研究員 兼 室長
委員歴 (24件):
2006 - 2008 IEEE IEEE International Electron Devices Meeting DSM(Display Sensor MEMS)session committee
2007 - 日本学術会議 連携会員
2000 - Society for Information Display プログラム委員
1995 - 日本物理学会 編集委員
日本応用物理学会 理事
・AM-FPD 実行副委員長
・日本電子工業振興協会 微細構造プロセスデバイス専門委員会委員
・日本物理学会編集委員
論文賞委員
男女共同参画委員会委員
代議員
評議員
JJAP編集委員、
・応用物理学会
過去担当の委員
・総務省 電波防護指針委員
・応用物理学会 Siテクノロジー分科会幹事
・応用物理学会 理事
・NEDO 若手グランド選考委員、電子デバイス選考委員
・JST さきがけ 選考委員、「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」領域アドバイザ
・Electrochemical Sciety 国際会議 TFTセッションのオーガナイザ
・IEEE International Electron Devices Meeting DSM(Display Sensor MEMS)session committee
・日本学術会議会員(連携)
現在担当の委員など
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受賞 (1件):
応用物理学科フェロー(2008)
所属学会 (5件):
日本学術会議
, IEEE
, Society for Information Display
, 日本物理学会
, 日本応用物理学会
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