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J-GLOBAL ID：200902106870758396   整理番号：93A0352084

シリコンウェーハ表面上の微量元素の全反射蛍光X線分析における注意点

Reliable Data of Trace Impurity Contents on Si Wafers with Use of Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis.

著者 (2件)： 薬師寺健次 (昭和電工シリコン) ,  大川真司 (昭和電工シリコン)
資料名： X線分析の進歩  (X線工業分析)
巻： 24  ページ： 97-111  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Z0547B  ISSN： 0911-7806  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンウエハ表面重金属不純物の極微量分析装置として最近普及...

シソーラス用語： 全反射 ,...
準シソーラス用語： 全反射蛍光X線分析

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分類 (1件)： 無機物質中の元素の物理分析  (CC03022H)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ウェーハ表面 ,  微量元素 ,  全反射蛍光X線分析 ,  注意