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J-GLOBAL ID：200902107025969210   整理番号：00A0331704

Ge/Si(100)島の発達 島の大きさと温度依存性

Evolution of Ge/Si(100) islands: Island size and temperature dependence.

著者 (5件)： CHAPARRO S A (Univ. Texas at El Paso, Texas) ,  ZHANG Y (Univ. Texas at El Paso, Texas) ,  DRUCKER J (Univ. Texas at El Paso, Texas) ,  CHANDRASEKHAR D (Arizona State Univ., Arizona) ,  SMITH D J (Arizona State Univ., Arizona)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 5  ページ： 2245-2254  発行年： 2000年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡(AFM)像と断面解析を用いて,分子線エピタキ...

シソーラス用語： 顕微鏡観察 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Si ,  島 ,  発達 ,  温度依存性