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J-GLOBAL ID：200902107089526060   整理番号：93A0653701

低温でSi(111)上に超高真空で堆積させたイットリウム薄膜の界面反応

Interfacial reactions of ultrahigh vacuum deposited yttrium thin films on (111)Si at low temperatures.

著者 (2件)： LEE T L (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN L J (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 73  号： 12  ページ： 8258-8266  発行年： 1993年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常および高分解透過電子顕微鏡,Auger電子分光,X線回折...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  Si ,  高真空 ,  堆積 ,  イットリウム ,  薄膜 ,  界面反応