文献

J-GLOBAL ID：200902107132942367   整理番号：98A0793833

GaN量子ディスクを製造するためのRF分子線エピタキシー法による(0001)Al₂O₃上のGaN/Al_0.18Ga_0.82N多層ナノカラムの自己組織化

Self-organization of GaN/Al_0.18Ga_0.82N multi-layer nano-columns on (0001) Al₂O₃ by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks.

著者 (6件)： YOSHIZAWA M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA N (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KUSHI K (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  SASAMOTO H (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190  ページ： 138-141  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  量子ディスク ,  RF分子線エピタキシー ,  Al2O3 ,  多層 ,  ナノカラム ,  自己組織化