GaN/InGaN/AlGaNの二重ヘテロ構造LEDの作製と特性評価そしてルミネッセンス変換LEDへのアプリケーション

文献

J-GLOBAL ID：200902107307402417 整理番号：99A0628754

Fabrication and characterization of GaN/InGaN/AlGaN double heterostructure LEDs and their application in luminescence conversion LEDs.

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著者 (7件)：

SCHLOTTER P

SCHLOTTER P について

(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)