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J-GLOBAL ID：200902107332208056   整理番号：99A0975866

Si(001)の清浄面と酸素吸着面におけるCoSi₂の固相エピタキシャル成長

Solid-phase epitaxial growth of CoSi₂ on clean and exygen-adsorbed Si(001) surfaces.

著者 (5件)： HAYASHI Y (Nagoya Municipal Industrial Res. Inst., Nagoya, JPN) ,  YOSHINAGA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 438  号： 1/3  ページ： 116-122  発行年： 1999年09月10日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 清浄Si(001)表面と2ML以下の酸素被覆率を持つ酸化Si...

シソーラス用語： *コバルト化合物 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  清浄面 ,  酸素吸着 ,  固相エピタキシャル成長