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J-GLOBAL ID:200902107472837290   整理番号:96A0902393

液相法で製作した酸化物薄膜ダイオード

Oxide Thin Film Diode Fabricated by Liquid-Phase Method.
著者 (3件):
資料名:
巻: 35  号: 9A  ページ: 4738-4742  発行年: 1996年09月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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p型のNiO薄膜とn型のZnO薄膜を反復被覆することによって...
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分類 (2件):
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  ダイオード 
引用文献 (13件):
  • TAKAHASHI, Y. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1992, 271, 401
  • FURUSAKI, T. J.Ceram.Soc.Jpn. 1994, 102, 200
  • FURUSAKI, T. High Performance Ceramic Films and Coatings. 1991, 241
  • TAKAHASHI, Y. J.Electrochem.Soc. 1990, 137, 267
  • OHYA, Y. J.Mater.Soc. 1994, 29, 4099
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