予備酸化紫外線-オゾン清浄化によるSiC/SiO<sub>2</sub>界面状態の除去

AFANAS’EV V V; STESMANS A; BASSLER M; PENSL G; SCHULZ M J; HARRIS C I

文献

J-GLOBAL ID：200902107634395319 整理番号：96A0391003

予備酸化紫外線-オゾン清浄化によるSiC/SiO₂界面状態の除去

Elimination of SiC/SiO₂ interface states by preoxidation ultraviolet-ozone cleaning.

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資料名：
巻： 68 号： 15 ページ： 2141-2143 発行年： 1996年04月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

炭化シリコン(3C,4H,6Hポリタイプ)表面を紫外線と酸素...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体の表面構造

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予備酸化紫外線-オゾン清浄化によるSiC/SiO2界面状態の除去

予備酸化紫外線-オゾン清浄化によるSiC/SiO₂界面状態の除去