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J-GLOBAL ID：200902107874542840   整理番号：01A0568435

自立型水素化物気相エピタクシーGaNの特性評価

Characterization of free-standing hydride vapor phase epitaxy GaN.

著者 (9件)： JASINSKI J (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  SWIDER W (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  LILIENTAL-WEBER Z (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  VISCONTI P (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  JONES K M (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  RESHCHIKOV M A (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  YUN F (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  MRKOC H (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  LEE K Y (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 16  ページ： 2297-2299  発行年： 2001年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて,標記GaNの特性評価を行...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自立 ,  水素化物気相エピタクシー ,  GaN ,  特性評価