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J-GLOBAL ID：200902107892159093   整理番号：94A0916049

アモルファスシリコンベースの太陽電池用狭バンドギャップa-Ge:H/a-Si:H多層膜

Narrow-bandgap a-Ge:H/a-Si:H multilayers for amorphous silicon-based solar cells.

著者 (4件)： DEKI H (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  OHMURA M (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 34  号： 1/4  ページ： 431-437  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Ge:H井戸とa-Si:H障壁層からなる境界の正確な多層...

シソーラス用語： 太陽電池 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファスシリコン ,  太陽電池 ,  狭バンド ,  ギャップ ,  Ge ,  Si ,  多層膜