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J-GLOBAL ID：200902108337029580   整理番号：00A0388985

(Al,Ga,In)Nヘテロ構造におけるAl_xGa_1-xN(x≦0.17)埋込層からの共鳴Raman散乱

Resonant Raman scattering from buried Al_xGa_1-xN(x≦0.17) layers in (Al,Ga,In)N heterostructures.

著者 (5件)： YOSHIKAWA M (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU) ,  WAGNER J (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU) ,  OBLOH H (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU) ,  KUNZER M (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU) ,  MAIER M (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 6  ページ： 2853-2856  発行年： 2000年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記Al_xGa<sub>1-x</su...

シソーラス用語： *共鳴Raman散乱 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  Ga ,  ヘテロ構造 ,  埋込層 ,  共鳴Raman散乱