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J-GLOBAL ID：200902108485158348   整理番号：00A0307288

Si基板上に堆積したYMnO₃とSrBi₂Ta₂O₉強誘電体薄膜とのメモリ効果の比較

Comparison of memory effect between YMnO₃ and SrBi₂Ta₂O₉ ferroelectric thin films deposited on Si substrates.

著者 (3件)： LEE H N (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Y T (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul) ,  CHOH S H (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 8  ページ： 1066-1068  発行年： 2000年02月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/YMnO₃(YMO)/Si(10...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： メモリ窓 ,...

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分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  堆積 ,  強誘電体薄膜 ,  メモリ効果