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J-GLOBAL ID：200902108585146258   整理番号：00A0725993

(0001)GaN薄膜中に形成した六角形エッチピットの起源

Origin of hexagonal-shaped etch pits formed in (0001) GaN films.

著者 (5件)： HONG S K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIM B J (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  YOON S Y (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  KIM T I (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 1  ページ： 82-84  発行年： 2000年07月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 湿式エッチングによる標題の起源を調べるために,溶融KOHでエ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  薄膜 ,  六角形 ,  エッチピット ,  起源