GaN基板上に成長させたへき開端面を有するInGaN/GaN/AlGaNに基づくレーザダイオード

NAKAMURA S; SENOH M; NAGAHAMA S; IWASA N; KIYOKU H; SUGIMOTO Y; KOZAKI T; UMEMOTO H; CHOCHO K

文献

J-GLOBAL ID：200902108864757275 整理番号：98A0823857

GaN基板上に成長させたへき開端面を有するInGaN/GaN/AlGaNに基づくレーザダイオード

InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with cleaved facets grown on GaN substrates.

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資料名：
巻： 73 号： 6 ページ： 832-834 発行年： 1998年08月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サファイア基板上にMOCVDによって作った横方向エピタキシャ...

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半導体レーザ

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