文献

J-GLOBAL ID：200902108980485002   整理番号：00A0582784

化合物半導体とLiNbO₃構造の表面音響波デバイスに対する光応答

Photoresponse on Surface Acoustic Wave Devices with Compound Semiconductor and LiNbO₃ Structures.

著者 (6件)： KANESHIRO C (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  SUDA T (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  AOKI Y (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  HONG C (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  KOH K (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  HOHKAWA K (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 5B  ページ： 3004-3009  発行年： 2000年05月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAs膜と結合させた表面音響波(SAW)デバイスに対す...

シソーラス用語： 弾性表面波 ,...

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分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

引用文献 (11件)：

• 1) K. Yamanouchi, N. Mihota, S. Kumagai, A. C. Wismayer and R. C. Woods: Tech. Rep. IEICE US93-50 (1993) p. 7.
• 2) M. J. Hoskins, H. Morkoc and B. J. Hunsinger: Phys. Rev. Lett. 41 (1982) 332.
• 3) C. Rocke, S. Zimmermann, A. Wixforth and J. P. Kotthaus: Phys. Rev. Lett. 78 (1997) 4099.
• 4) K. Hohkawa, H. Suzuki, K. Komine and Q. Huang: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 3015.
• 5) M. Rotter, A. Wixforth and J. P. Kotthaus: Proc. IEEE Ultrasonic Symp. (1997) p. 201.

タイトルに関連する用語 (3件)： 化合物半導体 ,  表面音響波デバイス ,  光応答