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J-GLOBAL ID：200902186925284619   整理番号：96A0627813

エピタキシャルリフトオフ膜を用いた表面波半導体複合素子

Surface Acoustic Wave Semiconductor Coupled Devices Employing Epitaxial Lift-Off Films.

著者 (4件)： HOHKAWA K (Kanagawa Inst. Technol, Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI H (Meidensha Corp., Tokyo, JPN) ,  KOMINE K (Meidensha Corp., Tokyo, JPN) ,  HUANG Q (Kanagawa Inst. Technol, Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35  号： 5B  ページ： 3015-3019  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上にAlAsレイヤを敷き,それをLiNbO<su...

シソーラス用語： 弾性表面波素子 ,...
準シソーラス用語： モノリシック集積回路 ,...

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分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

引用文献 (7件)：

• GRUNDKOWSKI, T. W. Proc.Int.Symp.SAW Device for Mobile Comm. 1992, 225-232
• HOHKAWA, K. 1995 Ultrasonics Symp., Seattle. 1995, PI-6
• COLLINS, J. H. J.Appl.Phys.Lett. 1968, 13, 314
• SAKAI, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1982, 21, 66
• YAMANOUCHI, K. Densi Joho Tusin Gakkai Ronbunsi. 1992, C-I J75-C-I, 6, 468-477

タイトルに関連する用語 (2件)： エピタキシャルリフトオフ ,  表面波