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J-GLOBAL ID：200902109077611472   整理番号：97A1036837

低電圧/高速フラッシュメモリのための新奇な高Kポリ層間絶縁体(IPD),Al₂O₃:3.3Vでのmsec消去

A Novel High K Inter-Poly Dielectric(IPD), Al₂O₃ for Low Voltage/High Speed Flash Memories: Erasing in msecs at 3.3V.

著者 (4件)： LEE W-H (Bell Lab., NJ) ,  CLEMENS J T (Bell Lab., NJ) ,  KELLER R C (Bell Lab., NJ) ,  MANCHANDA L (Bell Lab., NJ)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1997  ページ： 117-118  発行年： 1997年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビルトイン電荷ポンプのない標記のフラッシュメモリ用に新奇な高...

シソーラス用語： EPROM ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電圧 ,  フラッシュメモリ ,  絶縁体 ,  IPD ,  Al2O3 ,  消去