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J-GLOBAL ID：200902109152637849   整理番号：94A0163676

アバランシェ増倍率の非局所解析モデルによる最新のSi n-p-n BJTにおける衝突電離誘起スナップバックの予測

Prediction of Impact-Ionization-Induced Snap-Back in Advanced Si n-p-n BJT’s Means of a Nonlocal Analytical Model for the Avalanche Multiplication Factor.

著者 (6件)： VERZELLESI G (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  BACCARANI G (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  CANALI C (Univ. Modena, Modena, ITA) ,  PAVAN P (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  VENDRAME L (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ZANONI E (Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40  号： 12  ページ： 2296-2300  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si n-p-nバイポーラ接合型トランジスタ(BJT)の一定...

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： アバランシェ増倍 ,  解析モデル ,  Si ,  BJT ,  衝突電離 ,  誘起 ,  スナップバック ,  予測