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J-GLOBAL ID：200902109317073643   整理番号：94A0153989

エピタクシャルYBa₂Cu₃O_y-MISFETの作製 (VIII) バイアス印加に伴うYBCO-MIS構造のEBIC変化

Fabrication of Epitaxial YBa₂Cu₃O_y-MISFET. (VIII). EBIC Change of YBCO-MIS Structure with Applied Biases.

著者 (3件)： 巌淵守 (大阪大 基礎工) ,  芦田毅 (大阪大 基礎工) ,  小林猛 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 1  ページ： 138  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタクシャル ,  MISFET ,  作製 ,  バイアス ,  印加 ,  YBCO ,  MIS構造 ,  EBIC