SiC基板上のGaNおよびInGaN発光ダイオードの工業的製造

文献

J-GLOBAL ID：200902109354651304 整理番号：01A0760399

Industrial production of GaN and InGaN-light emitting diodes on SiC-substrates.

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資料名：
巻： 230 号： 3/4 ページ： 497-502 発行年： 2001年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

OSRAM Opto Semiconductors社の,Ga...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 発光素子

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