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J-GLOBAL ID：200902109424214578   整理番号：99A1009023

窒素50気圧750°CにおけるNaフラックス法によるGaNバルク単結晶成長

著者 (6件)： 山根久典 (東北大) ,  青木真登 (東北大) ,  窪田俊一 (東北大) ,  島田昌彦 (東北大) ,  皿山正二 (リコー) ,  DISALVO F J (Cornell Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 60th  号： 1  ページ： 272  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  Na ,  フラックス法 ,  GaN ,  バルク ,  単結晶成長