文献

J-GLOBAL ID：200902109801641893   整理番号：96A0063016

イオンビームスパックリング法を用いた逐次蒸着によるBi₂Sr₂CuO_x薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Bi2Sr2CuOx Thin Film in Atomic Layer-by Layer Deposition by Ion Beam Sputtering Method.

著者 (6件)： 太田裕之 (大阪大 超伝導エレクトロニクス研セ) ,  右田真司 (大阪大 超伝導エレクトロニクス研セ) ,  難波正 (大阪大 超伝導エレクトロニクス研セ) ,  大寺洋 (大阪大 超伝導エレクトロニクス研セ) ,  堺一男 (大阪大 超伝導エレクトロニクス研セ) ,  青木亮三 (大阪大 超伝導エレクトロニクス研セ)
資料名： 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター報告  (Annual Progress Report of Research Center for Superconducting Materials and Electronics, Osaka University)
巻： 2  ページ： 19-26  発行年： 1993年11月 
JST資料番号： L2044A  ISSN： 0919-3952  CODEN： ODCEEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 逐次 ,  蒸着 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長