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J-GLOBAL ID：200902109859933614   整理番号：01A0482048

CMOS標準プロセスを用いた新規SnO2/Al離散型ゲートISFETpHセンサ

A novel SnO2/Al discrete gate ISFET pH sensor with CMOS standard process.
著者 (6件)：
CHIN Y-L

CHIN Y-L について

(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)

Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN について

, 
CHOU J-C

CHOU J-C について

(National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN)

National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN について

, 
SUN T-P

SUN T-P について

(National Chi Nan Univ., Nantou, TWN)

National Chi Nan Univ., Nantou, TWN について

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LIAO H-K

LIAO H-K について

(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)

Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN について

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CHUNG W-Y

CHUNG W-Y について

(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)

Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN について

, 
HSIUNG S-K

HSIUNG S-K について

(Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN)

Chung Yuan Christian Univ., Chungi-Li, TWN について


資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)

Sensors and Actuators. B. Chemical について


巻： B75  号： 1/2  ページ： 36-42  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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集積化したイオン感受性電界効果トランジスタ(ISFET)セン...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*pHセンサ

pHセンサ について

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分類
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その他の固体デバイス 
(NC03150A)

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標準

標準 について

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プロセス

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Al

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, 
ゲート

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