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J-GLOBAL ID：200902109875440083   整理番号：01A1035824

サブハーフミクロンスマートパワー技術による高サイド,高電圧RESURF LDMOSの作成

Implementation of High-Side, High-Voltage RESURF LDMOS in a sub-half Micron Smart Power Technology.

著者 (5件)： ZHU R (Motorola Inc., AZ, USA) ,  PARTHASARATHY V (Motorola Inc., AZ, USA) ,  KHEMKA V (Motorola Inc., AZ, USA) ,  BOSE A (Motorola Inc., AZ, USA) ,  ROGGENBAUER T (Motorola Inc., AZ, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 13th  ページ： 403-406  発行年： 2001年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ラテラルドーピングプロファイルの微細な調整により,Motor...

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,...
準シソーラス用語： LDMOS ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電圧 ,  RESURF ,  LDMOS