文献
J-GLOBAL ID：200902109943063749   整理番号：97A0247045

NEODIUM GALLATE基板上のGaNエピタキシャル成長

GaN epitaxial growth on neodium gallate substrates.
著者 (5件)：
OKAZAKI H

OKAZAKI H について

(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)

Japan Energy Corp., Saitama, JPN について

, 
ARAKAWA A

ARAKAWA A について

(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)

Japan Energy Corp., Saitama, JPN について

, 
ASAHI T

ASAHI T について

(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)

Japan Energy Corp., Saitama, JPN について

, 
ODA O

ODA O について

(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)

Japan Energy Corp., Saitama, JPN について

, 
AIKI K

AIKI K について

(Japan Energy Corp., Saitama, JPN)

Japan Energy Corp., Saitama, JPN について


資料名：
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electronics について


巻： 41  号： 2  ページ： 263-266  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
GaNエピタキシャル成長に対する基板として,neodium ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
基板

基板 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
neodium gallate

neodium gallate について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0247045&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0225A") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

,  半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
GaN

GaN について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM