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J-GLOBAL ID:200902109943063749   整理番号:97A0247045

NEODIUM GALLATE基板上のGaNエピタキシャル成長

GaN epitaxial growth on neodium gallate substrates.
著者 (5件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 263-266  発行年: 1997年02月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (2件):
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