Si基板上のβ-SiCのガスソース分子ビームエピタクシー

ZEKENTES K; BECOURT N; ANDROULIDAKI M; TSAGARAKI K; STOEMENOS J; BLUET J M; CAMASSEL J; PASCUAL J

文献

J-GLOBAL ID：200902110103340219 整理番号：97A0008676

Si基板上のβ-SiCのガスソース分子ビームエピタクシー

Gas source molecular beam epitaxy of β-SiC on Si substrates.

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ZEKENTES K

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Applied Surface Science (Applied Surface Science)

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巻： 102 ページ： 22-27 発行年： 1996年08月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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