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J-GLOBAL ID：200902110230017966   整理番号：97A0194244

InGaN,InN及びInAlN上のW,WSi_x及びTi/AlのOhm接触の熱安定性

Thermal stability of W, WSi_x, and Ti/Al ohmic contacts to InGaN, InN, and InAlN.

著者 (9件)： VARTULI C B (Univ. Florida, Florida) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, Florida) ,  MACKENZIE J D (Univ. Florida, Florida) ,  SHUL R J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  ZOLPER J C (Sandia National Lab., New Mexico) ,  LOVEJOY M L (Sandia National Lab., New Mexico) ,  BACA A G (Sandia National Lab., New Mexico) ,  HAGEROTT-CRAWFORD M (Sandia National Lab., New Mexico)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 14  号： 6  ページ： 3520-3522  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n⁺-In<sub>0.65</sub...

シソーラス用語： タングステン ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  InN ,  InAlN ,  Ti ,  Al ,  Ohm接触 ,  熱安定性