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J-GLOBAL ID：200902110337632612   整理番号：93A0781499

Highly reliable WGe ohmic contact to GaAs-AlGaAs HBTs.

著者 (7件)： FULLOWAN T R (AT & T Bell Lab., NJ) ,  REN F (AT & T Bell Lab., NJ) ,  TSENG B (AT & T Bell Lab., NJ) ,  PEARTON S J (AT & T Bell Lab., NJ) ,  ABERNATHY C R (AT & T Bell Lab., NJ) ,  HARRIOTT L R (AT & T Bell Lab., NJ) ,  LANE E (AT & T Bell Lab., PA.)
資料名： Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3  (Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)
ページ： 239-245  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930443  ISBN： 1-55899-177-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  AlGaAs