単結晶,多結晶及び非晶質シリコン電場エミッタアレイの表面形態とI-V特性

LEE J D; SHIM B C; CHO E S; PARK B-G; UH H S; PARK S S

文献

J-GLOBAL ID：200902110440436007 整理番号：99A0222922

単結晶,多結晶及び非晶質シリコン電場エミッタアレイの表面形態とI-V特性

Surface Morphology and I-V Characteristics of Single Crystal, Polycrystalline and Amorphous Silicon FEAs.

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資料名：
巻： 33 号： Supplement ページ： S401-S405 発行年： 1998年11月
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：韓国 (KOR) 言語：英語 (EN)

蒸着した未処理の非晶質シリコン(a-Si)膜は多結晶Si膜よ...

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電子源,イオン源 , 熱電子放出,電界放出

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