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J-GLOBAL ID：200902110931751451   整理番号：93A0794008

窒素ドープ層を有するp⁺ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用

Application of a p⁺ poly Si Gate with Thin Nitrogen Doped layer to Sub-1/4um Dual Gate CMOS.

著者 (7件)： 岡崎幸夫 (NTT LSI研) ,  猪川洋 (NTT LSI研) ,  中山諭 (NTT LSI研) ,  小林敏夫 (NTT LSI研) ,  三宅雅安 (NTT LSI研) ,  森本孝 (NTT LSI研) ,  松田維人 (NTT LSI研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 93  号： 192(SDM93 79-88)  ページ： 67-75  発行年： 1993年08月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 異極ゲートCMOSプロセスで問題となるp<sup>+</su...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： MBN構造

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ドープ ,  ポリSi ,  ゲート電極 ,  サブ ,  極 ,  ゲート ,  CMOS