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J-GLOBAL ID：200902111105711016   整理番号：99A0737145

Pt/Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Pt強誘電体キャパシタのエッチングで損傷を受けた層の特性化と除去

Characterization and elimination of dry etching damaged layer in Pt/Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Pt ferroelectric capacitor.

著者 (4件)： LEE J K (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  KIM T-Y (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  CHUNG I (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  DESU S B (Virginia Polytechnic Inst. State Univ., Virginia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 3  ページ： 334-336  発行年： 1999年07月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドライエッチング過程で受けたPb(Zr<sub>0.53<...

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,...
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pt ,  Pb ,  O3 ,  強誘電体キャパシタ ,  エッチング ,  損傷 ,  層 ,  特性化