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J-GLOBAL ID：200902111221821511   整理番号：96A0711698

超低温で分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAsの微細構造とサブピコ秒の光応答

Microstructure and subpicosecond photoresponse in GaAs grown by molecular beam epitaxy at very low temperatures.

著者 (7件)： CHIN A (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN W J (National Yun-Lin Polytechnic Inst., Huwei, TWN) ,  GANIKHANOV F (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN G-R (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHIEH J-M (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  PAN C-L (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSIEH K C (Univ. Illinois at Champaign-Urbana, Illinois)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 3  ページ： 397-399  発行年： 1996年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 160~70°Cの低温で標記方法で成長させたGaAs膜を断面T...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaAs ,  微細構造 ,  サブピコ秒 ,  光応答