The influence of crystal orientation and processing conditions on the energy distribution of traps at the Si-SiO<sub>2</sub> interface.

文献

J-GLOBAL ID：200902111382285458 整理番号：94A0099374

The influence of crystal orientation and processing conditions on the energy distribution of traps at the Si-SiO₂ interface.

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ページ： 403-410 発行年： 1993年
JST資料番号： K19940015 ISBN： 0-306-44419-4 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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