How CVD Si/Ge layer growth is controlled by each one of the reaction gas components.

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J-GLOBAL ID：200902111397875332 整理番号：94A0079177

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ページ： 183-188 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930662 ISBN： 1-55899-175-1 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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