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J-GLOBAL ID：200902111414465631   整理番号：98A0409273

再成長させたn+GaN Ohm接触を有するAlN/GaN絶縁ゲート型ヘテロ構造FET

AlN/GaN insulated gate heterostructure FET with regrown n⁺GaN ohmic contact.

著者 (4件)： KAWAI H (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  HARA M (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  NAKAMURA F (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  IMANAGA S (Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 34  号： 6  ページ： 592-593  発行年： 1998年03月19日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に薄いAlN層を用いて,絶縁ゲート型GaN HFET(I...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 再成長 ,  Ohm接触 ,  AlN ,  GaN ,  絶縁 ,  ゲート ,  ヘテロ構造 ,  FET