高誘電定数Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/n-GaN金属-酸化物-半導体構造

TU L W; KUO W C; LEE K H; TSAO P H; LAI C M; CHU A K; SHEU J K

文献

J-GLOBAL ID：200902111423932013 整理番号：01A0219693

高誘電定数Ta₂O₅/n-GaN金属-酸化物-半導体構造

High-dielectric-constant Ta₂O₅/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure.

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巻： 77 号： 23 ページ： 3788-3790 発行年： 2000年12月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

rfマグネトロンスパッタリングによってn-GaNエピ膜上に高...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体のルミネセンス

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高誘電定数Ta2O5/n-GaN金属-酸化物-半導体構造

高誘電定数Ta₂O₅/n-GaN金属-酸化物-半導体構造