GaInAsP/InPマイクロディスク注入レーザの室温連続発振特性

FUJITA M; INOSHITA K; BABA T

文献

J-GLOBAL ID：200902111482554200 整理番号：98A0290998

GaInAsP/InPマイクロディスク注入レーザの室温連続発振特性

Room temperature continuous wave lasing characteristics of GaInAsP/InP microdisk injection laser.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=98A0290998&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0290998&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 34 号： 3 ページ： 278-279 発行年： 1998年02月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

150μAのしきい値電流と2.1kA/cm<sup>2</s...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0290998&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

半導体レーザ

, , , , ,

前のページに戻る