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J-GLOBAL ID：200902111564311853   整理番号：03A0088414

薄層Ge酸窒化物ゲート誘電体を有する高移動度pチャネルゲルマニウムMOSFET

High Mobility p-channel Germanium MOSFETs with a Thin Ge Oxynitride Gate Dielectric.

著者 (9件)： SHANG H (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  OKORN-SCHMIDT H (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  CHAN K K (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  COPEL M (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  OTT J A (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KOZLOWSKI P M (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  STEEN S E (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  CORDES S A (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  HAENSCH W E (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 441-444  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 酸窒化物 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄層 ,  Ge ,  酸窒化物 ,  ゲート誘電体 ,  高移動度 ,  チャネル ,  ゲルマニウム ,  MOSFET