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J-GLOBAL ID:200902111564311853   整理番号:03A0088414

薄層Ge酸窒化物ゲート誘電体を有する高移動度pチャネルゲルマニウムMOSFET

High Mobility p-channel Germanium MOSFETs with a Thin Ge Oxynitride Gate Dielectric.
著者 (9件):
資料名:
巻: 2002  ページ: 441-444  発行年: 2002年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  絶縁材料 

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